| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 |
18권 1호 |
| 발표분야 |
E. 구조 재료(Structural Materials) |
| 제목 |
3D패키지용Via 구리충전 시 유기첨가제의 영향 |
| 초록 |
휴대용 전자제품들의 소형화, 고기능화가 활발히 진행됨에 따라 기판에 보다 효과적으로 빈도체 소자를 패킹할 수 있는 전자 패키지 기술에 대한 요구가 증가하고 있다. 이러한 요구를 충족시키기 위해 현재 전자 패지키 기술은 기존에 2차원적으로 반도체 소자를 배열하는 2차원적 방식에서 3차원적으로 적층하는 TSV(Through Silicon via)방식으로 빠르게 변화하고 있는 추세이다. TSV 방식의 via 충전 시 내부의 결함이 발생할 경우 비저항을 증가시켜 전기적 특성을 떨어트리고 소자의 물리적인 접촉불량 문제점을 발생시킬 수 있으므로 매우 중요하다. 본 연구에서는 정전류 방식의 전기도금법을 이용한 via 구리충전 시 결함을 줄이기 위해서 유기첨가제 조성 변화에 따른 via 내부의 구리의 성장거동을 파악하고 최적화시키기 위한 실험을 진행하였다. via는 Cu/TiN/Ti/TiN/Si 구조로 높은 종횡비의 via를 이용하였으며 도금조는 전해액(CuSO4•5H2O, H2SO4, NaCl)에 유기첨가제를 첨가하여 준비하였다. Via 충전 시 물리적 변화 및 특성을 관찰하기 위해 optical microscope, FE-SEM 등을 사용하여 분석하다. |
| 저자 |
최은혜1, 노상수1, Tweneboah-Koduah Samuel1, 윤재식1, 조양래1, 나사균1, 이연승1, 김동규2
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| 소속 |
1한밭대, 2(주)이넥트론 |
| 키워드 |
TSV; 구리도금; 유기첨가제
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| E-Mail |
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