| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2008년 가을 (10/23 ~ 10/24, 부산 BEXCO) |
| 권호 |
14권 2호, p.3297 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
Characteristics of Fluorocarbon Thin Films Deposited in C4F8 and C4F6 Plasmas |
| 초록 |
불화탄소(fluorocarbon) 플라즈마는 silicon 및 silicon dioxide 식각 등 반도체소자제조공정에서 널리 사용되고 있다. 불화탄소 플라즈마는 불화탄소막(fluorocarbon film)을 형성하는데 이러한 불화탄소막은 silicon dioxide보다 유전상수(dielectric constant)가 낮고 수분흡수율이 적으며 다른 고분자막에 비하여 열적 안정성이 우수하기 때문에 silicon dioxide의 대체 물질로 연구되고 있다. 불화탄소막의 특성은 불소 대 탄소비율(F/C ratio)에 크게 영향을 받는 것으로 알려져 있으므로 F/C ratio를 쉽게 제어하는 것이 필요하다. 본 연구에서는 C4F8과 C4F6 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 특성을 살펴보았다. Power와 압력을 변화주면서 동일한 두께의 불화탄소막을 증착하여 불화탄소막의 조성과 결합상태를 XPS와 FT-IR로 분석하였다. 또한 각 불화탄소 플라즈마의 OES 분석을 통하여 각 플라즈마에서 발생되는 라디칼과 불화탄소막과의 관계도 살펴보았다. |
| 저자 |
권혁규, 지정민, 김창구
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| 소속 |
아주대 |
| 키워드 |
Fluorocarbon Film; F/C ratio
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
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