| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2003년 봄 (04/25 ~ 04/26, 순천대학교) |
| 권호 | 9권 1호, p.975 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 포토마스크 제조 공정에서의 현상, 습식 식각 및 세정 기술 고찰 |
| 초록 | 포토마스크 제조 공정에서 습식 공정 즉, 현상, 습식 식각 및 세정 기술은 포토마스크 제조 공정에서 중요한 부분을 차지 하고 있다. 반도체 제조 공정의 DR(Design Rule)이 작아짐에 따라 포토마스크의 CD(Critical Dimension)도 작아지는 경향을 나타내고 있다. CD는 포토마스크 제조에 있어서 중요한 인자 중 하나인데, CD가 작아 질수록 현상, 습식 공정 및 세정 기술의 중요성도 증가하고 있다. 고품질 포토마스크로 사용되는 Attenuated PSM(Phase Shift Mask)의 세정은 포토마스크 제조 공정에서 중요한 인자이다. Attenuated PSM은 기존의 BM(Binary Mask)와 달리 화학적 저항성이 작은 MoSiON으로 이루어져 있는 데, 특정한 용액에 식각되는 특성을 가지고 있다. 이러한 이유에서 PSM의 위상과 투과도 변화를 최소로 하며, 세정효과를 최대로 하는 것이 요구되고 있다. 본 발표는 포토마스크 제조 공정인 현상, 습식 식각 및 세정 공정의 고찰을 목적으로 하며, 공정에서 사용되는 용액과 포토마스크와의 화학적 반응성을 알아보고, 현재 공정 기술 및 차세대 기술에 대하여 알아 보고자 한다. |
| 저자 | 손용석, 이철중, 조준식, 정상현 |
| 소속 | 듀폰포토마스크 R&D |
| 키워드 | 포토마스크; 현상; 습식 식각; 세정; PSM(Phase Shift Mask) |
