| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2005년 가을 (10/28 ~ 10/29, 건국대학교) |
| 권호 |
9권 2호 |
| 발표분야 |
정보,전자소재 |
| 제목 |
TFT-LCD Array용 Negative형 Polyimide 층간절연막의 합성 및 물성평가 |
| 초록 |
TFT(Thin film transistor)는 TFT-LCD의 액정에 신호전압을 인가하고 차단하는 스위칭 소자이다. 현재 TFT-LCD의 제작공정에 있어 TFT(Thin film transistor) 소자를 보호하는 passivation 층은 Benzocyclobutane(BCB)를 이용한 열경화 공정으로 진행되고 있다. 하지만 그러한 열경화 공정은 생산성 및 해상도가 저하되고, Dry Etch등 공정 적용에 있어 제약이 많다는 단점이 있다. 그러므로 photo process를 이용할 수 있는 고해상도(High resolution), 고수율(High Yield) 및 적용성이 우수한 TFT-LCD Array용 박막소재에 대한 연구가 국내외의 연구소에서 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 TFT-LCD Array용 층간절연막을 구성하기 위한 고내열성, 저유전율, 고투과도의 negative형 polyimide 재료의 분자구조를 설계 및 합성하고, 이의 광학적, 유변학적 특성을 평가하였다. 그리고 형성된 절연막의 ITO(Indium Tin Oxide)공정 및 via hole 공정을 위한 photolithography 특성을 평가하였다. |
| 저자 |
김효진1, 박이순1, 허영준1, 권영환2, 김정무1
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| 소속 |
1경북대, 2대구대 |
| 키워드 |
passivation; Polyimide; negative type
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| E-Mail |
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