초록 |
본 연구에서는 점차 고집적화, 고성능화 되어지는 반도체 소자의 제조공정중 제품의수율 및 성능에 지대한 영향을 미치는 세정공정에 있어서 기존의 습식세정법 등에서 야기되었던 여러문제에 대한 해결책의 한 방법으로 초임계 유체를 이용한 세정방법에 대한 연구를수행하였다. 이러한 연구를 수행하기 위한 기초적 data 수집을 위해 초임계 유체를 이용한웨이퍼 세정(wafer cleaning) 공정에 적용할 수 있는 공용매에 대한 이산화탄소내에서의 팽창도를 측정하였다. 팽창도 측정실험을 통하여 온도 및 압력에 따른 data를 얻었으며, 측정용매인 methanol은 주어진 온도의 일정압력 이상에서 500 Vol.% 이상의 팽창이 이루어져이산화탄소와 완전한 단일상을 이루므로 wafer 세정에 공용매로써의 사용이 가능하였다. 또한 세정실험은 순수한 이산화탄소만으로 수행한 것과 공용매를 함께 사용한 경우로 나누어실험을 하였으며, SEM 측정을 통하여 PR제거 능력 및 wafer 표면의 손상정도를 검토하였다. |