| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Co/Ni 복합실리사이드의 FIB를 이용한 나노배선 구조의 형상 분석 |
| 초록 | 기판전면에 패턴 없이 15 ㎚ Co / 15 ㎚ Ni / 70 ㎚ polysilicon / 200 ㎚ SiO2 / Si(100) 구조로 적층된 구조로부터 RTA를 이용하여 40초간 700, 900, 1000˚C 의 실리사이드화 온도를 변화시켜 준비한 두께 100 ㎚ 정도의 Co/Ni 복합실리사이드층을 배선재료를 상정하여, 이중 집속이온빔(dual beam Focused low Beam : FIB)을 써서 300 kV에서 표면전류를 1~100 pA 범위에서 조절하면서 나노급 선폭제작의 가능성을 확인하였다. 각 온도별 복합실리사이드에 동일한 이온빔 조건으로 100 ㎛ 길이의 패턴을 만들고, 이온빔으로 양 끝단에 트렌치를 만들어 FE-SEM으로 각 조건에서의 선폭, 두께, 최종에치형상을 확인하였다. 기존의 응집현상이 많던 폴리사이드 공정에 비해서 100 ㎚ 이하의 나나곱 선폭제작과 패턴의 제작이 300 kV~30 pA 범위에서 가능하였으며, 미세 프로브에 의해 간접적으로 실리콘 역전현상을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 김상엽, 송오성 |
| 소속 | 서울시립대 |
| 키워드 | Ni/Co composite silicide; silicide; dual beam FIB; FIB; polysilicon |
