| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1998년 가을 (10/23 ~ 10/24, 조선대학교) |
| 권호 | 4권 2호, p.3805 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 헬리콘 플라즈마로부터 중성입자 흐름의 생성 및 이를 이용한 실리콘의 건식식각 |
| 초록 | 헬리콘(Helicon) 플라즈마로부터 중성입자 흐름을 생성하여 높은 에너지의 이온에 의 한 기판의 물리적, 전기적 손상을 방지할 수 있는 실리콘 식각공정이 연구되었다. 기판의하부에 영구자석을 설치하여 cusp 모양의 자계를 형성하므로써 이온 및 전자를 기판으로부터 제거되도록 하였고 이러한 방법으로 완전히 제거되지 않는 이온의 제거를 위해서 기판하부에 양의 전압을 가하여 자계나 전계에 영향을 받지 않는 중성입자 흐름을 얻을 수 있도록 하였다. 발생시킨 자계 및 전계에 의해 기판 상부에서의 전자밀도는 자계나 전계가 가해지지 않은 경우에 비해 약 1/1,000 정도로 낮아졌으며, 이온밀도 또한 약 1/10 정도로 감소하였다. 이러한 공정을 통해 얻어진 실리콘의 식각속도는 Cl2와 10%의 SF6를 혼합하여사용할 때 8.5×10-4 torr의 압력에서 약 100Å/min 이하로 매우 낮았으며 실리콘의 식각이비등방성을 가지며 진행될 수 있음이 보여졌다. |
| 저자 | 정석재, 양호식, 조성민 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | helicon plasma; neutral baem; damage free etch; anisotropy |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
