| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2008년 봄 (04/23 ~ 04/25, 제주ICC) |
| 권호 |
14권 1호, p.1256 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
Resistance Switching Behaviors of Hafnium Oxide for Non-volatile ReRAM Device Applications |
| 초록 |
MOCVD 공정을 이용해서 400 °C에서 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 HfO2 박막을 증착하여 그 특성을 분석하였다. 화학전구체로서 tetrakis-diethylamido-hafnium (TDEAHf - Hf(N(C2H5)2)4)와 산소기체를 이용하여 박막을 증착하였다. 증착된 박막은 XRD 분석과 HR-TEM 분석 결과 다결정의 특성을 나타내었다. 또한 XPS를 이용한 depth profile 분석 결과 박막 깊이에 따라 박막이 insulating/intermediate/metallic의 서로 다른 세층의 특성을 보이는 것으로 나타났다. 증착된 박막의 위에 금 전극을 증착하여 Pt/HfO2/Au의 MIM 구조를 만든 후 2V 이하의 저전압에서 전기적인 특성을 분석한 결과, 인가된 전압에 따라 박막의 저항이 변하는 것이 관찰되었다. 이때 저저항상태와 고저항상태 사이의 저항비는 105 이상으로 다른 물질들에 비해 높은, 우수한 특성을 나타내었다. 특히 처음으로 HfO2에서 URS와 BRS의 두가지 메커니즘으로 저항이 변함이 관찰되었다. 본 연구결과를 기초로 저항스위치 원리를 설명하는 모델이 제시되었다. |
| 저자 |
이승협, 용기중
|
| 소속 |
포항공과대 |
| 키워드 |
hafnium oxide; ReRAM; 저항메모리
|
| E-Mail |
|
| 원문파일 |
초록 보기 |
