| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/09 ~ 05/10, 한양대학교(안산)) |
| 권호 | 12권 1호 |
| 발표분야 | 무기재료 |
| 제목 | Optimization of Deep Si Etching using C4F8/SF6 and C4F6/SF6 Plasmas |
| 초록 | MEMS 소자를 구현하기 위한 deep Si 식각에는 보쉬공정(Bosch process)이 주로 사용되는데 지구온난화지수가 높고 대기중수명이 길어 감축이 필요한 PFC(Perfluorocompound)물질이 흔히 증착단계에서 사용되고 있다. 본 연구에서는 PFC물질 대신에 지구온난화지수가 낮고 대기중수명이 낮은 UFC(unsaturatedfluorocompound)물질을 대체화합물로 사용하여 deep Si 식각을 수행하였다. 유도결합플라즈마를 이용하여 각각 C4F8과 C4F6 플라즈마에서 전력에 따른 증착속도와 Bias voltage, 식각/증착 횟수에 따른 식각형상을 관찰하였고, 비등방성이 이루어지는 최적의 공정조건을 조사하였다. |
| 저자 | 권혁규, 박병훈, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | Deep Si Etching |
