| 초록 |
반도체 소형화를 위한 핵심적인 기술인 ArF Immersion lithography에서는 Polymer 기반의 레지스트가 사용되고 있으나, 분자량 분포를 가지고 있기 때문에 현상 용액에 대한 불균일한 용해성을 가질 수 있고, 이로 인해 패턴 형성 시 높은 해상도를 구현하는 것이 제한될 수 있는 가능성을 가진다. 한편, Phenolic Molecular 레지스트는 분자량 분포가 존재하지 않고 단일 분자량을 가지며 단분자임에도 높은 유리 전이 온도 및 기계적 물성을 가지게 되어 50 nm 이하의 높은 해상도로 패턴을 형성할 수 있다고 보고된 바 있다. 따라서, 본 연구에서는 Phenolic Molecular 레지스트를 합성하는 데 있어서, 기존에 연구된 Phenolic Molecular 레지스트에 기계적 물성 향상을 목표로 하여 높은 유리 전이 온도를 가지는 새로운 물질을 합성하였다. 합성된 재료는 Differential scanning calorimetry(DSC)를 통해 보다 높은 유리전이 온도를 갖는 물질임을 확인하였고, 이 물질은 Chemically Amplified Resist(CAR)로써 positive tone 패턴이 형성될 수 있음을 확인하였다. |
