| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | TiO2 박막의 다층 증착에 의한 Re-RAM 특성 변화 |
| 초록 | Re-RAM(Resistive Random Access Memory)은 MIM(Metal-Insulator-Metal)의 구조를 가지고 저항 Switching을 가지는 Memory를 말한다. Re-RAM은 전용의 시설이나 장비가 필요 없이 현재의 장비를 사용할 수 있다는 것에서 Conventional CMOS 공정과 경쟁할 뿐만 아니라 비휘발성, 저전력, 높은 밀도, 그리고 빠른 속도 면에서 장점을 가지고 있다. 본 연구는 유전 박막의 상태 변화에 따른 Re-RAM의 특성 변화를 살펴 보기 위해 실행하였다. Si(100) 기판 위에 하부전극으로 Pt를 증착하고 고진공하에서 TiO2를 Magnetron Sputter로 증착하고, RTA를 이용하여 열처리하여 박막을 형성하고, 상부전극으로는 Pt를 사용하였다. 열처리 방법에 따라서 TiO2가 다른 결정 구조를 가지며, 이러한 구조 변화에 의한 Re-RAM의 특성 변화를 살펴보았다. HP4155A 장비를 이용하여 I-V(Current Voltage) Curve를 측정하여 저저항과 고저항의 bistable 상태가 나타남을 확인하였다. AFM(Atomic Force Microscopy), XRD(X-Ray Diffraction), AES(Auger Electron Spectrometer)등을 이용하여 거칠기, 결정성, 박막 내 성분을 분석하여, 이러한 특성이 Re-RAM의 Switching 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. |
| 저자 | 김경래, 이태호, 박인성, 고한경, 안진호 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | ReRAM; TiO2 |
