| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | PECVD법으로 증착된 silicon oxynitride의 물성 분석 |
| 초록 | silicide 위에 capping layer로 사용될 여러 가지 박막 가운데 silicon oxide와 silicon nitride, 그리고 두 박막의 합성물인 silicon oxynitride의 물성분석을 위해 이 실험을 계획하였다. 4인치 (100) P-type 웨이퍼 위에 nitrous oxide , nitrogen 그리고 silane을 사용하여 PECVD로 silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride를 증착하였다. 증착된 막의 두께는 100nm로 고정하였고, N2O와 NH3의 비를 조절하여 막의 조성변화를 관찰하였다. SEM, AFM, Spectra Thick, XPS를 사용하여 단면, 표면조도, 막 두께와 굴절률, 조성을 각각 분석하였다. |
| 저자 | 조유정, 한길진, 김영철 |
| 소속 | 한국기술교육대 |
| 키워드 | PECVD; silicon oxynitride |
