미래에는 다양한 정보 교류를 위해 많은 정보를 저장하는 반도체 소자를 요구하고 있다. 이를 위해 시스템의 성능 향상이 필수적이며, 그 핵심 요소인 트랜지스터의 초고속화, 초고집적화 및 초절전화가 요구되고 있다. 미래 초고집적 반도체 소자에서 사용되는 세라믹스 박막 소재에 관해 기술하고자 한다. 주요 내용으로는, 기억 소자의 게이트(gate) 절연막, 고유전캐패시터 산화막, 강유전체 세라믹스 박막을 이용한 Ferroelectric Random Access Memory (FRAM), 산화물 박막 Tunneling Junction을 이용한 Magnetic Random Access Memory (MRAM) 소자 등이 있다. 반도체 산업에서의 세라믹스 박막 소재는 고유한 특성인 부도성, 압전성, 유전성을 사용하여 독특한 특성을 구현한다. 기존 산업과 새롭게 부상하는 미래 기억소자에서도 세라믹스 박막 재료의 역할은 매우 중요하다. 세라믹스 박막 재료를 구현하는 새로운 박막 공정의 개발이 필요하며, 소자의 전기적 특성을 구현하는 평가 기술의 개발도 중요하다.