| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/03, 한경대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 무기재료 |
| 제목 | C2F6/Ar 가스를 이용한 TiO2 박막의 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각 |
| 초록 | 최근에 정보통신 분야와 디스플레이 분야의 지속적인 발달을 위해서 광메모리 분야와 광디스플레이 분야의 개발이 요구되고 있다. 이에 대응하기 위한 핵심물질로서 높은 굴절률과 절연 상수, 그리고 가시광선 영역에서 높은 투과도를 갖는 금속 산화물이 요구되고 있다. TiO2는 이러한 특징을 가지고 있기 때문에 가장 주목받고 있는 물질로서 광메모리, 평판 디스플레이, 그리고 발광다이오드 등의 여러 분야에서 연구되고 있다. 본 연구에서는 TiO2 박막을 고밀도 플라즈마를 생성시키는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각 장비를 사용하여 식각하였다. TiO2 박막은 GaN/sapphair 기판위에 sputtering 증착 방법을 통하여 증착되었고 800 nm 두께의 photoresist에 의하여 패턴되었으며, 패턴된 TiO2 박막은 C2F6/Ar 혼합 가스로 식각 되었다. |
| 저자 | 조한나, 민수련, 리유에롱, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | etching; TiO2; C2F6; plasma |
