| 초록 |
고밀도 CHF3 플라즈마를 이용한 SiO2 식각에서 photoresist(PR)의 식각속도 및 SiO2 underlayer에 대한 식각 선택도가 이온의 입사각도에 따라 변화하는 특성을 관찰하였다. 플라즈마 내에 파라데이 상자를 설치한 식각장치를 사용함으로써 기판표면에서 이온의 입사각도를 0˚에서 90˚까지 조절하였다. 또한, 바이어스 전압을 -100 V에서 -400 V까지 변화시켜 이온의 입사 에너지를 조절하였다. -100 V의 바이어스 전압에서, SiO2의 식각속도는 이온 입사각도가 증가함에 따라 단조 감소함에 비해 PR의 식각속도는 40˚까지는 비교적 일정하다가 그 이후에 급격히 감소하였다. 이온의 입사각이 0˚일 때의 식각속도를 기준으로 얻은 정규화된 식각속도 (NER)는 SiO2 경우에 cosine 함수와 거의 일치하였으나 PR의 경우에는 중간각도 영역에서 over-cosine 형태를 보였다. 결과적으로 PR에 대한 SiO2의 식각 선택도는 이온 입사각도에 따라 점차로 감소하였는데, 이는 PR이 SiO2에 비해 중간 각도에서 물리적 스퍼터링에 의해 식각수율이 크게 증가하였기 때문이다. 바이어스 전압이 증가함에 따라, 식각속도는 SiO2보다 PR인 경우에 더 빠르게 증가하였고, 중간 각도 영역의 NER 값은 SiO2 경우에 점차로 증가하였으나 PR의 경우에는 큰 변화가 없었다. 결과적으로 PR에 대한 식각 선택도는 대부분의 이온 입사각도에서 바이어스 전압이 증가할수록 감소하였지만 이온 입사각도에 따른 식각 선택도의 감소 정도는 줄어들었다. |
